2024-06-16 10:15:13 来源:互联网 分类:电气知识
第三代半导体适配又称为宽带隙半导体,带隙大于2.2eV,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特色,越来越受到重视。
第三代半导体适配的性能优势?
宽带隙、高击穿电场强度、高包和电子迁移率、高热导率、低介电常数和强抗辐射。
总的来说,第三代半导体适配的性能优势是:耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性强、工作速度快、工作损耗低。
第三代半导体适配的主要用途是什么?
按材料分类,第三代半导体适配材料主要有四类,主要用途如下:
1.以氮化镓为代表的第三族氮化物在军事领域中用于雷达、电子对抗、导弹和无线通信。用于民用商业领域的基站、卫星通信、有线电视、手机充电器等小家电。
2.SiC、DC,电动汽车、消费电子、新能源、轨道交通等领域的交流输变电、温度检测与控制。
3.宽带隙氧化物,通常代表氧化锌ZnO,用于压力传感器、存储器件和柔性电子器件。目前技术和应用都不成熟,主要产品有发光二极管、激光器、纳米发电机、纳米线晶体管、紫外探测器等。
4.金刚石,大功率红外激光探测器,用于光电子、生物医学、航空航天、核能等领域。该技术和应用仍在开发中。
第三代半导体适配的主要用途
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