2024-11-04 01:09:17 来源:互联网 分类:电气知识
晶圆切割是通过高速旋转的金刚石刀片(也是激光切割技术)在晶圆上切割单个裸片,以形成独立的单个晶圆,为后续工艺做准备。
在切割过程当中,需要使用去离子水冲洗掉切割过程当中产生的硅渣并释放出静电。去离子水是由一台二氧化碳纯水机制备的,将二氧化碳气体溶解在离子水中可下降水的阻力,从而促进静电的释放。
晶圆切割也称为划片,它使用高速旋转的金刚石刀片在晶圆上切割单个裸片,以形成独立的单个晶圆,为后续工艺做准备。晶圆切割需要设备,也需要特定的切割刀片。该设备被广泛用于半导体晶圆切割,陶瓷片切割,蓝宝石玻璃切割等。
绷片是一个晶圆切割前的晶圆固定工序,在晶圆的背面贴上一层蓝膜,并固定在一个金属框架上,以利于后面切割。在贴膜的过程当中要加60℃~80℃温度,使蓝膜能坚固粘贴在晶圆上。在切割过程当中,需要使用去离子水冲洗掉切割产生的硅渣并释放出静电。去离子水是由一台二氧化碳纯水机制备的。将二氧化碳气体溶解在离子水中可下降水的阻力,从而促进静电的释放。紫外线照射是要对切割的蓝膜进行紫外线照射,以下降蓝膜的粘度并促进后续的拾取。
晶圆切割分为半切和全切两种,半切是切割4/5晶圆厚度,不会切透晶圆,然后用机械方式(铜棒滚过)使其自动裂口形成独立。
晶圆切割的过程是什么?
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