整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。

通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。

一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极

管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻

值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。

1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个

结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反

向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是

二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。

2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电

阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻

越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好

。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或

漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。

3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。

其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管

的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测

试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿

电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，

同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表

手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向

击穿电压。

早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个

PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，

晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间

电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流

和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个

零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体

二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有

自建电场。当不存在外加电压时，由于PN 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引

起的漂移电流相等而处于电平衡状态