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半导体分立器件静态测试设备

半导体分立器件静态测试设备

价格面议2024-04-26 13:30:03

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武汉普赛斯仪表有限公司

注册时间:2021-01-25

信息详情

普赛斯半导体分立器件测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六;
半导体分立器件静态测试设备
半导体分立器件静态测试设备

普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

“双高”系统优势

高电压、大电流

具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(最大可扩展至10kV)

具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

高精度测量

nA级漏电流, μΩ级导通电阻

0.1%精度测量

模块化配置

可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

测试项目

集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat

集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges

栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)

输入电容、输出电容、反向传输电容

续流二极管压降Vf

I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等

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