1、大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A；

2、高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V；

3、大反向电流IR：它是二极管在高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好；

4、击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值；

5、高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中；

6、反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及大反向瞬态电压下的反向恢复时间；

7、零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。

整流二极管损坏原因：

1、防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管；

2、运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作，促使整流管加速老化，并被过早地击穿损坏；

3、运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任，对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解，或是当外界发生了甩负荷故障，运行人员没有及时进行相应的操作处理，产生过电压而将整流管击穿损坏；

4、设备安装或制造质量不过关。由于发电机组长期处于较大的振动之中运行，使整流管也处于这一振动的外力干扰之下；同时由于发电机组转速时高时低，使整流管承受的工作电压也随之忽高忽低地变化，这样便大大地加速了整流管的老化、损坏；

5、整流管规格型号不符。更换新整流管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误，造成整流管击穿损坏；

6、整流管安全裕量偏小。整流管的过电压、过电流安全裕量偏小，使整流管承受不起发电机励磁回路中发生的过电压或过电流暂态过程峰值的而损坏。

整流二极管的根本构造是 PN 结 （ P 型半导体和 N 型半导体联系后 ， 在两者的联系而构成一个很薄的空间电荷区，这就是PN结）。在 PN 结的空间电荷内 ，电子元件势能发生了变化 ，电子要从 N 区到 P 区有必要越过一个能量高坡 （ 通常称为势垒） ，因而又把空间电荷区称为势垒区 。当PN结加正向电压时，势垒降低，呈现低电阻，具有较大的正向分散电流，称该状况为正导游通状况。当PN结加反向电压时，势垒增加，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流 ，称该状况为反向阻断状况 ，此刻 PN 结处于反向偏置状况。

整流二极管是面触摸型二极管，结面积较大，能接受较大的正向电流和较高的反向电压，功能比较稳定，首要用在把沟通电变换成直流电的整流电路中。整流二极管的结电容较大 ，因而它不宜作业在高频电路中 。整流二极管用半导体或硅等资料制成 ，具有显着的单导游电性。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温功能杰出。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制作（掺杂较多时简单反向击穿）。整流二极管有金属和塑料两种封装。整流二极管的首要技术参数包含大整流电流 、大反向作业电压、反向饱和电流高作业频率及反向恢复时间等 。

整流二管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正和负两个端子。二管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二管的正流入，负流出。

整流二管具有明显的单向导电性。整流二管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二管主要用于低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。