价格面议2023-02-19 20:37:27
但是,来自不同源头电能的电压、频率各不相同,它们就像形态、大小各异的食物,其中高达75%以上的部分都必须由“厨师”进行修整和加工,经过“烹饪”之后才能由“粗电”变成“精电”,最终供拥有不同“口味”的设备使用,满足复杂的用电需求。这位能够实现电能变换和控制的核心“大厨”便是功率半导体器件。
功率半导体器件也称电力电子器件,结合不同电路拓扑可以形成各类电力电子装置,实现整流、逆变、变频、调压等功能。随着功率半导体技术的不断革新,从高压输电到城市用电,从工业变频到医疗器械,从电动汽车的电机驱动到空调、冰箱等家用电器,再到手机、笔记本等数码产品,功率半导体器件无处不在,与我们的生活密不可分。其中,集成门极换流晶闸管(Integrated Gate Commutated Thyristor,IGCT)器件作为功率半导体器件家族中的年轻成员于1997年首次被提出,展现出了巨大的发展潜力,正成为直流电网的“芯”选择。
IGCT集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种中压变频器开发的用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体开关器件(集成门极换流晶闸管=门极换流晶闸管+门极单元)。1997年由ABB公司提出。IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展,给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点,在导通阶段发挥晶闸管的性能,关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点,而且造成本低,成品率高,有很好的应用前景。 已用于电力系统电网装置(100MVA)和的中功率工业驱动装置(5MW)IGCT在中压变频器领域内成功的应用了11年的时间(到09年为止),由于IGCT的高速开关能力无需缓冲电路,因而所需的功率元件数目更少,运行的可靠性大大增高。
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。驱动功率小而饱和压降低。二极管加在集电极和发射极之间,主要用于续流,同时由于负载存在感性,IGBT关断瞬间会在IGBT两端产生极高的自感反相电压,此电压可能击穿IGBT。并联的二极管将这个“自感反相电压”短路掉了,起到保护IGBT的作用。