200元2022-11-23 08:08:17
·高配置：采用进口光纤激光器，光束质量更好（标准基模）、切缝更细（30μm）、边缘更平整光滑。
·免维护：整机采用国际标准模块化设计，真正免维护、不间断连续运行、无消耗性易损件更换。
·操作方便：设备集成风冷设置，设备体积更小，操作更简单。
·专用控制软件：专为激光划片机而设计的控制软件，操作简单，能实时显示划片路径。
·工作效率高：T型台双工位交替运行，提高工作效率。
超薄硅片打孔是一项非常精细的工序，因为硅片较薄，打孔的时候不能损坏其表面的精度，打孔的密度、孔径大小需要达到一定的精度以及所要求的大小。
激光打孔是将光斑直径缩小到微米级，从而获得高的激光功率密度，几乎可以在任何材料实行激光打孔。其特点是可以在硬度高、质地脆或者软的材料上打孔，孔径小、加工速度快、效率高。
超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00～3.00(mm);次小孔:0.40～1.00(mm);超小孔:0.1～0.40(mm);微孔:0.01～0.10(mm);
随着硅半导体集成电路的广泛应用，硅半导体集成电路都要用到晶圆，传统的晶圆切割方法，都是手工采用金刚石刀进行切割，在晶圆上划分出若干个圆环，在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。或者采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法，这种晶圆切割方法的耗材大，经常要更换刀具，切割出来的晶圆芯片相距的宽度比较大，不均匀，所能切割的材料单一，适用性差，效率低下。
因此晶圆激光切割的方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高、全自动运行，对晶圆切割的位置进行准确定位，切割出来的晶圆芯片均匀、美观，能切割多种材料，适应性强，可以避免薄晶圆因切割破裂
激光切割技术集光学、精密机械、电子技术和计算机技术于一体，于传统方法相比
1、加工速度快；2、窄切槽（20um-30um），晶圆利用率高；3、非接触式加工，适合薄基圆；4、自动化程度高，任意图形切割。目前激光切割技术可以应用于切割硅片、低k材料、发光二极管衬底、微机电系统和薄膜太阳能电池等光电及半导体材料。
晶圆是制造IC的基本原料，而晶圆便是硅元素加以纯化，接着将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，再经过照相制版、研磨、抛光、切片等程序，将多晶硅融解后拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
