价格面议2023-06-27 14:04:03
非常适合测量不同类型半导体（包括IGBT、MOSFET、晶体管和二极管）的特性
zui大峰值电压：3000 V（高电压模式，适合所有型号）
zui大峰值电流：1000 A（CS-3300高电流模式）
所有型号均支持漏电流（LEAKAGE）测试模式（光标分辨率：1 pA）
USB接口（保存屏幕图像和设置条件）
B-H 分析仪 SY-8218 SY-8219 磁性材料分析仪，
精确测量软磁性材料的交流磁特性，直至高频
该装置用于测量软磁性材料的交流磁特性。
非常适合材料、核心、零件和设备制造商的研发、质量保证和制造部门的新产品开发和产品检验。 除了 BH/Pc 测量功能外，还可以测量 m/L/Q。
AUX输出
范围 关闭，-40V - +40 V，按100mV分辨率变化
垂直轴
集电极电流 范围 高电压模式：1 μA/div - 2 A/div，共20个范围，步进为1-2-5。
- 高电流模式：100 mA/div - 50 A/div，共9个范围，步进为1-2-5。
高电流模式：100 mA/div - 100 A/div，共10个范围，步进为1-2-5。
精度 2%读数 + 0.05 × VERT/div设置值或更低（下面的内部环路校正错误必须加至左边的公式中。）
3 kV范围：6 μA、300 V 范围：1 μA, 30 V 范围：0.5 μA（仅针对各电压范围面积的10%或以上。）
发射极电流（泄漏） 范围 1 nA/div - 2 mA/div，共20个范围，步进为1-2-5
精度 2%读数+ 0.05 × VERT/div设置值 + 1 nA 或更低
水平轴
集电极电压 范围 高电压模式：50 mV/div - 500 V/div，共13个范围，步进为1-2-5
- 高电流模式：50 mV/div - 5 V/div，共7个范围，切换步进为1-2-5
精度 2%读数 + 0.05 × HORIZ/div 设置值或更高
基极/发射极电压 范围 50 mV/div - 5 V/div，共7个范围，步进为1-2-5
