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化合物半导体硅片切盲槽打孔来图定制

200元2022-11-19 08:04:45

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激光切割于传统机械切割硅片相比,是一种行的加工方式,有一下几点加工优势:

1、激光加工一步即可完成的、干燥对的加工过程。

2、边缘光滑整齐,不需要后续的清洁和打磨。

3、激光加工的分离过程产生高强度、自然回火的边缘,没有微小裂痕。使用激光加工避免了不可预料的裂痕和残破,提高了成品率。

激光隐形切割作为激光切割晶圆的一种方案,很好的避免了砂轮划片存在的问题。激光隐形切割是通过将脉冲激光的单个脉冲通过光学整形,让其透过材料表面在材料内部聚焦,在焦点区域能量密度较高,形成多光子吸收非线性吸收效应,使得材料改性形成裂纹。每一个激光脉冲等距作用,形成等距的损伤即可在材料内部形成一个改质层。在改质层位置材料的分子键被破坏,材料的连接变的脆弱而易于分开。切割完成后通过拉伸承载膜的方式,将产品充分分开,并使得芯片与芯片之间产生间隙。这样的加工方式避免了机械的直接接触和纯水的冲洗造成的破坏。目前激光隐形切割技术可应用于蓝宝石/玻璃/硅以及多种化合物半导体晶圆。

超薄硅片打孔是一项非常精细的工序,因为硅片较薄,打孔的时候不能损坏其表面的精度,打孔的密度、孔径大小需要达到一定的精度以及所要求的大小。

激光打孔是将光斑直径缩小到微米级,从而获得高的激光功率密度,几乎可以在任何材料实行激光打孔。其特点是可以在硬度高、质地脆或者软的材料上打孔,孔径小、加工速度快、效率高。

超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00~3.00(mm);次小孔:0.40~1.00(mm);超小孔:0.1~0.40(mm);微孔:0.01~0.10(mm);

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