1、大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A；

2、高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V；

3、大反向电流IR：它是二极管在高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好；

4、击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值；

5、高工作频率fm：它是二极管在正常情况下的高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中；

6、反向恢复时间trr：指在规定的负载、正向电流及大反向瞬态电压下的反向恢复时间；

7、零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。

整流二极管损坏原因：

1、防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置，即使设置了防雷、过电压保护装置，但其工作不可靠，因雷击或过电压而损坏整流管；

2、运行条件恶劣。间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作，促使整流管加速老化，并被过早地击穿损坏；

3、运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任，对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解，或是当外界发生了甩负荷故障，运行人员没有及时进行相应的操作处理，产生过电压而将整流管击穿损坏；

4、设备安装或制造质量不过关。由于发电机组长期处于较大的振动之中运行，使整流管也处于这一振动的外力干扰之下；同时由于发电机组转速时高时低，使整流管承受的工作电压也随之忽高忽低地变化，这样便大大地加速了整流管的老化、损坏；

5、整流管规格型号不符。更换新整流管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误，造成整流管击穿损坏；

6、整流管安全裕量偏小。整流管的过电压、过电流安全裕量偏小，使整流管承受不起发电机励磁回路中发生的过电压或过电流暂态过程峰值的而损坏。

整流二极管是由硅半导体材料制成的，采用面接触型二极管结构，如图一所示。由于采用面接触结构，硅整流二极管的特点是工作频率低、允许的工作温度高，允许通过的正向电流大，反向击穿电压高。整流二极管在电路中的主要作用是将交流电变成直流电，以适应各种电子设备。

一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极

管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻

值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。

1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个

结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反

向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是

二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。

2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电

阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻

越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好

。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或

漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。

3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。

其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管

的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测

试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿

电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，

同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。如图4-71所示，摇动兆欧表

手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向

击穿电压。

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可

各种二极管的符号

各种二极管的符号

分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极

管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管

、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管

。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝

一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过

贴片二极管

贴片二极管

较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极

管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直

流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而

且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

二极管主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。

⒈正向特性

当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），

管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电

二极管伏安特性曲线

二极管伏安特性曲线

压再稍微，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为

0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。

⒉反向特性

二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变

，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅

管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，

锗管的稳定性比硅管差。

⒊击穿特性

当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压

称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1

伏到几百伏，甚达数千伏。

⒋频率特性

由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电

性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。