价格面议2023-02-09 19:12:32
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。驱动功率小而饱和压降低。二极管加在集电极和发射极之间,主要用于续流,同时由于负载存在感性,IGBT关断瞬间会在IGBT两端产生极高的自感反相电压,此电压可能击穿IGBT。并联的二极管将这个“自感反相电压”短路掉了,起到保护IGBT的作用。