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CRRC可控硅KPA-1200-42炼钢电气设备品质优良

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220元2023-09-09 11:48:35

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可控硅从外形主要有螺旋式、平板式和平底式三种,螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极:阳极、阴极和控制极。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

晶闸管导通的条件:

1、晶闸管阳与阴间接正向电压;

2、控制与阴之间也接正向电压(实际工作中,控制加正触发脉冲信号);

晶闸管导通后,控制便失去作用。依靠正反馈,晶闸管仍可维持导通状态。

关断晶闸管的方法:将阳电压降低到足够小或加瞬间方向阳电压、将阳瞬间开路。

晶闸管的过电流保护:

1、过电流:当流过晶闸管的电流有效值超过它的额定通态平 均电流的有效值时,称为过电流;

2、原因:负载过重,输出回路短路等;

3、过电流保护:当发生过电流时,能迅速将电流切断,以防晶闸管损坏;

4、措施:灵敏过电流继电器保护、快速熔断器保护等;

5、快速熔断器 。

晶体管的主要参数:

1、反向阻断峰值电压:在额定结温和控制开路的条件下,允许重复加在阳—阴间的大反向阻断电压;

2、正向阻断峰值电压:在额定结温和控制开路及晶闸管正向阻断的条件下,重复加在阳—阴间的大正向阻断电压;

3、正向平均电流:在规定环境温度及散热条件下,允许连续通过工频正弦半波电流的平均值;

4、通态平均电压: 晶闸管导通时管压降的平均值,一般在0.4~1.2V;

5、维持电流:在室温和控制开路时,元件能维持导通状态所需的小阳电流;

6、控制触发电压和触发电流:在温室下,阳—阴间加规定的正向直流电压,使晶闸管导通所需的小控制电压和电流。

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