化学机械抛光中机械作用去除机理的研究于慧 摘要 ：在计算机硬盘技术中，为了满足磁头磁盘的表面粗糙度及波纹度的要求，将化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）作为硬盘盘片表面终精加工手段。CMP是一个复杂的化学机械过程，主要作用为磨粒的机械作用，通过建立一个机械去除模型分析硬盘盘片与抛光垫之间的相对速度、抛光液中的颗粒浓度以及压力三个过程变量对CMP材料去除速率的影响。

作者单位 ： 山东英才学院 关键词 ： 化学机械抛光 材料去除速率 颗粒浓度 相对速度 压力 分类正文 ： 引言在计算机硬盘技术中，磁头和磁盘的表面粗糙度会对磁头的飞行稳定性和表面抗腐蚀性产生较大影响，这就要求磁头及磁盘表面都必须超光滑，采用化学机械抛光技术（chemical mechanical polishing，CMP）对硬盘盘片表面进行抛光就可以达到磁头和硬盘表面的高质量要求......化学工程与装备 Chemical Engineering Equipment 主办： 福建省化工研究所福建省化工学会 主管单位：福建省化工学会福建化工研究所期刊级别：省级期刊周期： 月刊 出版地：福建省福州市 语种： 中文 开本： 大16开 曾用刊名：福建化工 创刊年：1972