它与电容器的使用材料和制造方法密切相关，选用不同的材料和方法所制造出来的电容器

产品性能的差异是巨大的，而电容器厂家会根据电容器的用途而去选用不同的材料和方法。

随着施加于电容器两端频率的升高，电容器的损耗加大，容量降低，耐压下降。而我们

生产的薄膜电容器，在出售之前都会进行频率特性测试，下面介绍下我们的测试。

薄膜电容器工作频率特性测试

1.选取一只联接可调频率电压源上，将温度传感器坚固电容器上。

2.打开可调频率电压源，调度至适合的电压值，频率调度至最低，并用存储示波器观察波形。

3.垂垂升高频率至30khz保持10分钟并记录温度值，后每增加5khz保持10分钟并记录温度值。

4.当达到80khz每次增加1khz 保持10分钟并记录温度值，直至达到电容器最高工作温度，停

止测试。

聚酯薄膜与聚丙烯薄膜电容的区别

聚酯薄膜电容又称为CL电容，聚丙烯薄膜电容又称为CBB电容，两种单从型号上是很

好区分的。一般聚酯膜电容都是以CL开头，而聚丙烯膜电容以CBB开头。两者都具有自

愈性与无感特性。

两者的主要区别如下：

1. 在高频条件下，CBB电容的稳定性高于CL电容。

2. 在相同的温变条件下，CBB电容容量随着温度变化的范围比CL电容小。

3. CBB电容的损耗比CL电容小，在频率为1kHz的条件下，一般CBB电容损耗角正切值

tanδ为小于0.001，而CL电容的tanδ为小于0.01。

4. CBB电容与CL电容的绝缘性能都特别好，优于其他电容器，而CBB电容的绝缘性能则

比CL电容更佳，比如在容量小于0.33uF时，CBB电容的绝缘电阻大于25000MΩ，而CL

电容则为大于7500 MΩ。

5. 与CBB电容相比，CL电容唯一的优势在于体积小，相同电压，相同容量的情况下，

CL电容的体积可以做得比CBB电容小，这对于一些安装有空间限制的客户还是很受用

的。

由于CBB电容性能更佳，但是价格更贵，因此目前市场上有许多用CL电容冒充CBB

电容，光用目测很难发现二者的不同，推荐以下两种方法供大家参考：

1. 测损耗值，若是小于0.001则为CBB电容，反之则为CL电容。

2. 用手掌型数字电容表和电吹风来进行试验，先把电容器放在电容表上测出冷态电容值，

然后用吹风加热电容器，再测电容值，若电容值变化过大，则为CL电容，反之为CBB电容。

薄膜电容的应用空间有哪些？

人们只有选择适合的产品才能满足自身的使用需求，选择薄膜电容也是如此的，

全方面的了解电容器的技术并及时确保产品的应用的范围才可以满足产品的性能

性能是该产品主要的优势，在当今的社会中，对于薄膜电容的使用需求是比较大

的，具有很大的发展空间

电容器是电子产业中重要的电子元件，在生产的过程中须与技术不断的结合在

一起，有经验的技术可以提供更大的电容量以及更好的电器性能，这些产品的使

用与新的产品息息相关

良好性能的薄膜电容可以在遇到特殊环境的时候，依然保持高性能和高质量，

保证了整个产品的持续使用

因此，薄膜电容在当今的社会中，具有很大的发展空间，尤其是在科技发展如

此迅速的今天

在电容器发展的迅速的今天，不断满足人们使用需求，进一步的达到理想的状

态，增进了彼此之间的利益，给电容行业带来更及时的满足

TDK 薄膜电容器:额定电压更高的坚固耐用型Y2电容器

TDK公司推出一系列应用于EMI抑制的新型爱普科斯 (EPCOS) MKP（金属化聚丙烯）Y2薄膜电容器——B3203*系列电容器。与额定电压为300 V AC的传统型号相比，新型电容器的额定工作电压高达350VAC，电容值范围为4.7nF至1.2μF，可在严苛环境条件下确保稳定的电容值。新型电容器均通过IEC 60384-14:2013/AMD1:2016认证，并按照“高湿度条件下III 级耐久性测试B”分类。这些电容器在温度为85℃，相对湿度为85％，工作电压为350V AC的环境条件下进行了温度、湿度、偏置电压 (THB) 测试，结果表明其电容量下降量不超过10％。新型电容器的最高工作温度为110℃。

新型电容器获得UL和EN认证，且符合AEC-Q200标准。不同型号的电容器的引脚间距会有不同，分别为15mm (B32032*)、22.5mm (B32033*)、27.5mm (B32034*)或37.5mm (B32036*)，具体视电容值而定。电容器的外壳和环氧树脂密封的阻燃等级符合UL94 V-0标准的要求。

新型Y2电容器可用于频繁遭受恶劣环境影响和额定电压要求更高的滤波器（如光伏逆变器或车载滤波器），用于抑制电磁干扰。

主要应用

恶劣环境条件下（如光伏逆变器或车载滤波器）的电磁干扰抑制应用

主要特点和效益

额定电压增大至350VAC

宽泛的电容值范围：4.7nF到1.2μF

通过UL和EN认证

TDK-EPCOS B32520~B32529系列薄膜电容器

`EPCOS/TDK通用MKT堆叠/绕线薄膜电容器是符合AEC-Q200D标准的器件，具有高脉冲强度和高接触可靠性。EPCOS/TDK通用MKT堆叠/绕线薄膜电容器采用堆叠薄膜技术，引线间距为5mm至15mm。该电容器采用绕线电容器技术，引线间距为10mm至37.0mm。应用包括汽车用阻断耦合和去耦合、旁路连接以及射频干扰 (RFI) 保护。

特性：

高脉冲强度

高接触可靠性

电容范围：0.001~220uF

引线间距：5~37.5mm

电容容差：±5%，±10%，±20%

应用：

汽车RFI，耦合，去耦等

TDK成功开发高Q特性的薄膜电容器

TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器(产品名称：Z-match TFSQ0402系列)，并将从2011年8月开始量产。该产品能应用于手机、手机、无线局域网等PA电路以及其他RF匹配电路和高频模块产品。TDK电容产业将多年来在HDD磁头制造方面所积累的“薄膜技术”用于高频元件的工法中，同时 TDK株式会社集团下属子公司TDK-EPC成功开发出使用于智能手机、手机、无线局域网等的功率放大器电路以及高频匹配电路的最小0402尺寸的薄膜电容器(产品名称：Z-match TFSQ0402系列)，并将从2011年8月开始量产。

该产品能应用于手机、手机、无线局域网等PA电路以及其他RF匹配电路和高频模块产品。TDK电容产业将多年来在HDD磁头制造方面所积累的“薄膜技术”用于高频元件的工法中，同时实现了面向智能手机等高性能移动设备和高频模块产品的高特性与小型超薄化。尤其值得一提的是，凭借薄膜工法实现了优良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通过薄膜材料和最佳形状设计，与以往产品相比达到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高达6.8GHz(2.2pF)。通过这些特性，该本产品可在阻抗匹配电路中发挥优良的高频特性，因此命名为“Z-match”。