整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。

通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。

整流二极管是面触摸型二极管，结面积较大，能接受较大的正向电流和较高的反向电压，功能比较稳定，首要用在把沟通电变换成直流电的整流电路中。整流二极管的结电容较大 ，因而它不宜作业在高频电路中 。整流二极管用半导体或硅等资料制成 ，具有显着的单导游电性。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温功能杰出。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制作（掺杂较多时简单反向击穿）。整流二极管有金属和塑料两种封装。整流二极管的首要技术参数包含大整流电流 、大反向作业电压、反向饱和电流高作业频率及反向恢复时间等 。

早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个

PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，

晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间

电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流

和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个

零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体

二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有

自建电场。当不存在外加电压时，由于PN 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引

起的漂移电流相等而处于电平衡状态

上海聚肯电子科技有限公司小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极

管符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极

管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。用数字式万用表

去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管

的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

半导体是一种具有性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导

电，它介于两者之间，所以称为半导体。半导体重要的两种元素是硅（读“gui”）和锗（

读“zhe”）。我们常听说的美国硅谷，就是因为起先那里有好多家半导体厂商。

二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收

听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。

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正向性

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用

，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当

正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压而迅速上

升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的

正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长

，二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的

正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

晶闸管的工作条件

由于晶闸管只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化：

(1)晶闸管承受反向阳极电压时,无论门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。

(2)晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。

(3)晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,无论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。

(4)晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。