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PRX整流管R6110630电镀设备服务周到

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整流二极管是由硅半导体材料制成的,采用面接触型二极管结构,如图一所示。由于采用面接触结构,硅整流二极管的特点是工作频率低、允许的工作温度高,允许通过的正向电流大,反向击穿电压高。整流二极管在电路中的主要作用是将交流电变成直流电,以适应各种电子设备。

整流二管具有明显的单向导电性。整流二管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二管主要用于低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。

二极管主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线。

⒈正向特性

当加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),

管子不导通,处于“截止”状态,当正向电压超过一定数值后,管子才导通,电

二极管伏安特性曲线

二极管伏安特性曲线

压再稍微,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为

0.5-0.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。

⒉反向特性

二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变

,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线Ⅱ段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅

管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,

锗管的稳定性比硅管差。

⒊击穿特性

当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧,这种现象称为反向击穿。这时的反向电压

称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1

伏到几百伏,甚达数千伏。

⒋频率特性

由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电

性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。

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