 兼容传统可控硅调光线路使用

 高功率因数,PF>0.9

 支持全贴片设计方案

 过温补偿功能

 输出短路保护

 输出开路保护

 ESOP8封装

1 DET Bleeder 电流补偿设定端

2 CSA Bleeder 电流设定端

3 CSB 输出电流设定端

4 GATE 外置MOSFET 驱动极

6 NC 空脚

7 VI 芯片供电端

8 DRA Bleeder MOSFET漏极

5/9 GND 散热焊盘，内部接地

DET to GND -0.3~500 1 V -- 2 CSA to GND -0.3~5 V - 3 CSB to GND -0.3~5 V -- 4 GATE to GND -0.3~7 V - VI to GND 7 -0.3~500 V - 8 DRA to GND -0.3~500 V -

电气参数 （无特别说明外，Ta=25℃） 最小值 最大值 符号 参数 测试条件 典型值 单位 芯片供电部分 电流调控所需最低电压 Vdrn min 8 V Tj=100°℃, lout=60mA 电流采样 电流调控时CS电压 Vcs 1mA<=lout<=60mA 485 500 515 mV
高效率LED是节能产品，驱动电源的效率要高。对于电源安装在灯具内的结构，尤为重要。因为LED的发光效率随着LED温度的升高而下降，所以LED的散热非常重要。电源的效率高，它的耗损功率小，在灯具内发热量就小，也就降低了灯具的温升。对延缓LED的光衰有利。
高功率因数功率因数是电网对负载的要求。一般70瓦以下的用电器，没有强制性指标。虽然功率不大的单个用电器功率因素低一点对电网的影响不大，但晚上大家点灯，同类负载太集中，会对电网产生较严重的污染。对于30瓦~40瓦的LED驱动电源，据说不久的将来，也许会对功率因数方面有一定的指标要求。