整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。

整流二极管代换：

整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。

通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。

整流二极管是面触摸型二极管，结面积较大，能接受较大的正向电流和较高的反向电压，功能比较稳定，首要用在把沟通电变换成直流电的整流电路中。整流二极管的结电容较大 ，因而它不宜作业在高频电路中 。整流二极管用半导体或硅等资料制成 ，具有显着的单导游电性。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温功能杰出。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制作（掺杂较多时简单反向击穿）。整流二极管有金属和塑料两种封装。整流二极管的首要技术参数包含大整流电流 、大反向作业电压、反向饱和电流高作业频率及反向恢复时间等 。

上海聚肯电子科技有限公司小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极

管符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极

管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。用数字式万用表

去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管

的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

半导体是一种具有性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导

电，它介于两者之间，所以称为半导体。半导体重要的两种元素是硅（读“gui”）和锗（

读“zhe”）。我们常听说的美国硅谷，就是因为起先那里有好多家半导体厂商。

二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收

听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。

上海聚肯电子科技有限公司二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出

。

正向特性

在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连

接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导

通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电

压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。导通

后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向

压降”。

反向特性

在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流

流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍

然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值，

反向电流会急剧，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

上海聚肯电子科技有限公司晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并

建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场

引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互

相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和

自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍

增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn

结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分