1、整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中；

2、选用整流二极管时，主要应考虑其大整流电流、大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数；

3、普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择大整流电流和大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等；

4、开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。还有一种肖特基整流二极管。

整流二极管代换：

整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。

通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。

整流二极管检查方法：

首先将整流器中的整流二极管全部拆下，用万用表的100×R或1000×R欧姆档，测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的高达几百KΩ到无穷大，而电阻值小的仅几百Ω甚至更小，说明该二极管是好的(发生了软击穿的二极管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等，而且电阻值很小，说明该二极管已被击穿损坏，不能使用。如果两次测量的阻值都是无穷大，说明此二极管已经内部断开，不能使用。

早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个

PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，

晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间

电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流

和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个

零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体

二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有

自建电场。当不存在外加电压时，由于PN 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引

起的漂移电流相等而处于电平衡状态

二极管主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。

⒈正向特性

当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），

管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电

二极管伏安特性曲线

二极管伏安特性曲线

压再稍微，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为

0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。

⒉反向特性

二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变

，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅

管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，

锗管的稳定性比硅管差。

⒊击穿特性

当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压

称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1

伏到几百伏，甚达数千伏。

⒋频率特性

由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电

性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

二极管是常用的电子元件之一，它大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的

一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都是由

二极管来构成的，其原理都很简单，正是由于二极管等元件的发明，才有我们现 在丰富多彩

的电子信息世界的诞生，既然二极管的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢，其实

很简单只要用万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的，反向电

阻如果很大这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理

以及基本电路，这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础

晶体二极管一般可用到十万小时以上。但是如果使用不合理，他就不能充分发挥作用，甚至很快地被损坏。要合理地使用二极管，必须掌握他的主要参数，因为参数是反应质量和特性的。

高工作频率fM（MC）----二极管能承受的高频率。通过PN结交流电频率高于此值，二极管接不能正常工作。

高反向工作电压VRM（V）----二极管长期正常工作时，所允许的高反压。若越过此值，PN结就有被击穿的可能，对于交流电来说，高反向工作电压也就是二极管的高工作电压。

大整流电流IOM（mA）----二极管能长期正常工作时的大正向电流。因为电流通过二极管时就要发热，如果正向电流越过此值，二极管就会有烧坏的危险。所以用二极管整流时，流过二极管的正向电流（既输出直流）不允许超过大整流电流

上海聚肯电子科技有限公司小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极

管符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极

管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。用数字式万用表

去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管

的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

半导体是一种具有性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导

电，它介于两者之间，所以称为半导体。半导体重要的两种元素是硅（读“gui”）和锗（

读“zhe”）。我们常听说的美国硅谷，就是因为起先那里有好多家半导体厂商。

二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收

听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。

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正向性

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用

，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当

正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压而迅速上

升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的

正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长

，二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的

正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

晶闸管的工作条件

由于晶闸管只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化：

(1)晶闸管承受反向阳极电压时,无论门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。

(2)晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。

(3)晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,无论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。

(4)晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。