200元2022-11-28 08:22:15
传统硅片切割方式是机械切割，速度慢、断面平整性差、碎片多、不环保。硅是一种脆性材料，机械切割极易使边缘产生破裂，造成硅表面弹性应变区、位错网络区和碎晶区的组成层损伤，甚至可能造成隐形裂纹，影响电性参数等危害。激光切割技术具有无接触、无机械应力、切缝宽度小、断面平整光滑、精度高、速度快、性能稳定等优势；
晶圆是半导体产品与芯片的基础材料，半导体芯片产业的激光应用工艺将会越来越多被发明出来，对于高精密的芯片产品，非接触的光加工是最合适的方式。因此激光晶圆（硅片）切割的应用会越来越多。
激光属于无接触式加工，不对晶圆产生机械应力的作用，对晶圆损伤较小。由于激光在聚焦上的优点，聚焦点可小到微米数量级，从而对晶圆的微处理更具有优越性，可以进行小部件的加工；即使在不高的脉冲能量水平下，也能得到较高的能量密度，有效地进行材料加工。大多数材料吸收激光直接将硅材料气化，形成沟道。从而实现切割的目的因为光斑点较小，最低限度的炭化影响。
超薄硅片打孔是一项非常精细的工序，因为硅片较薄，打孔的时候不能损坏其表面的精度，打孔的密度、孔径大小需要达到一定的精度以及所要求的大小。
激光打孔是将光斑直径缩小到微米级，从而获得高的激光功率密度，几乎可以在任何材料实行激光打孔。其特点是可以在硬度高、质地脆或者软的材料上打孔，孔径小、加工速度快、效率高。
超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00～3.00(mm);次小孔:0.40～1.00(mm);超小孔:0.1～0.40(mm);微孔:0.01～0.10(mm);
随着硅半导体集成电路的广泛应用，硅半导体集成电路都要用到晶圆，传统的晶圆切割方法，都是手工采用金刚石刀进行切割，在晶圆上划分出若干个圆环，在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。或者采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法，这种晶圆切割方法的耗材大，经常要更换刀具，切割出来的晶圆芯片相距的宽度比较大，不均匀，所能切割的材料单一，适用性差，效率低下。
因此晶圆激光切割的方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高、全自动运行，对晶圆切割的位置进行准确定位，切割出来的晶圆芯片均匀、美观，能切割多种材料，适应性强，可以避免薄晶圆因切割破裂
晶圆是制造IC的基本原料，而晶圆便是硅元素加以纯化，接着将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，再经过照相制版、研磨、抛光、切片等程序，将多晶硅融解后拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
