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GaN HEMT器件特性测试仪

GaN HEMT器件特性测试仪

价格面议2024-04-26 13:30:02

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武汉普赛斯仪表有限公司

注册时间:2021-01-25

信息详情

GaN HEMT器件的评估一般包含直流特性(直流l-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。GaN HEMT器件特性测试仪就找普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;
GaN HEMT器件特性测试仪
GaN HEMT器件特性测试仪

基于普赛斯S/CS系列源表的直流l-V特性测试系统

基于普赛斯Р系列脉冲源表/CP系列恒压脉冲源的脉冲I-V特性测试系统

基于普赛斯CP系列恒压脉冲源的脉冲S参数测试系统

整套测试系统基于普赛斯CP系列恒压脉冲源,配合网络分析仪、探针台、Bias-tee夹具,以及专用测试软件。在直流小信号S参数测试的基础上,可实现GaNHEMT 、GaAs射频器件脉冲S参数测试。

武汉普赛斯一直专注于功率器件、射频器件以及第三代半导体领域电性能测试仪表与系统开发,基于核心算法和系统集成等技术平台优势,率先自主研发了高精度数字源表、脉冲式源表、脉冲大电流源、高速数据采集卡、脉冲恒压源等仪表产品以及整套测试系统。产品广泛应用在功率半导体材料与器件、射频器件、宽禁带半导体的分析测试领域。可根据用户的需求,提供高性能、高效率、高性价比的电性能测试综合解决方案。GaN HEMT器件特性测试仪就找武汉普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;

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