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宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体参数分析仪

宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体参数分析仪

价格面议2024-09-24 10:30:03

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武汉普赛斯仪表有限公司

注册时间:2021-01-25

信息详情

宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体参数分析仪特点:

30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力;

测量精度高,全量程下可达0.03%精度;

内置标准器件测试程序,直接调用测试简便;

自动实时参数提取,数据绘图、分析函数;

在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线;

提供灵活的夹具定制方案,兼容性强;

免费提供上位机软件及SCPI指令集;

典型应用:

纳米、柔性等材料特性分析;

二极管;

MOSFET、BJT、晶体管、IGBT;

第三代半导体材料/器件;

有机OFET器件;

LED、OLED、光电器件;

半导体电阻式等传感器;

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管;

电阻率系数和霍尔效应测量;

太阳能电池;

非易失性存储设备;

失效分析;

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