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宽禁带器件测试高电压大电流源

价格面议2024-12-16 14:30:03

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武汉普赛斯仪表有限公司

注册时间:2021-01-25

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GaN HEMT器件性能的评估,一般包含静态参数测试(I-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。静态参数,也被称作直流参数,是用来评估半导体器件性能的基础测试,也是器件使用的重要依据。以阈值电压Vgs(th)为例,其值的大小对研发人员设计器件的驱动电路具有重要的指导意义。

静态测试方法,一般是在器件对应的端子上加载电压或者电流,并测试其对应参数。与Si基器件不同的是,GaN器件的栅极阈值电压较低,甚至要加载负压。常见的静态测试参数有:阈值电压、击穿电压、漏电流、导通电阻、跨导、电流坍塌效应测试等。宽禁带器件测试高电压大电流源认准普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;

武汉普赛斯仪表有限公司是,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

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