一、材料与性能特性
化学稳定性
耐受氢氟酸、王水、硫酸等强腐蚀性试剂，长期接触无溶出或析出56。
金属杂质含量极低（铅、铀＜0.01ppb），满足半导体工艺的ppt级纯度要求67。
物理性能
耐温范围覆盖-200℃至+260℃，可高压灭菌或液氮保存56。
表面能低（18-20mN/m），实现超疏水疏油特性，减少液体残留78。
洁净度指标
颗粒释放量（＞0.1μm）＜5个/cm²，符合SEMI F57标准7。
通过兆声波+SPM清洗工艺达到半导体级洁净度7。
二、设计特点
规格多样性
容量覆盖20ml至4000ml，支持定制（如广口、窄口、带螺纹接口等）25。
广口设计（口内径≥33mm）便于固体取样和清洗，窄口（口内径≤25mm）减少挥发损失8。
功能优化
适配GL45/GL32标准瓶口，兼容自动进样器（如HPLC、GC-MS）68。
厚壁罐体可集成搅拌、通气系统，用于多相反应或样品存储8。
三、核心应用场景
半导体制造
存储氢氟酸、TMAH显影液等湿电子化学品，保障3nm工艺金属残留＜0.01atoms/cm²7。
用于EUV光刻配套化学品管理，满足超低金属污染控制需求7。
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