高压+半导体静态参数测试仪特点
高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）；
大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；
高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；
丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；
测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
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