硝酸铟用于铟锡氧化物（ITO）前驱体：用于制备 ITO 薄膜（透明导电材料），广泛应用于触摸屏、液晶显示器（LCD）、太阳能电池电极等。
半导体掺杂剂：在半导体外延生长中作为铟源，用于制备 InGaAs、InP 等化合物半导体材料
Indium(III)nitratepentahydrate PURATREM
分子式：In(NO3)3·4.5H2O
硝酸铟分子量：300.83
CAS NO. 13770-61-1，13465-14-0，207398-97-8，
外观性状：白色易结块的固体，易溶于水和醇。
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