硝酸铟用于铟锡氧化物(ITO)前驱体:用于制备 ITO 薄膜(透明导电材料),广泛应用于触摸屏、液晶显示器(LCD)、太阳能电池电极等。
半导体掺杂剂:在半导体外延生长中作为铟源,用于制备 InGaAs、InP 等化合物半导体材料
Indium(III)nitratepentahydrate PURATREM
分子式:In(NO3)3·4.5H2O
硝酸铟分子量:300.83
CAS NO. 13770-61-1,13465-14-0,207398-97-8,
外观性状:白色易结块的固体,易溶于水和醇。


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