快恢复二极管反向恢复时间的定义：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。IF为正向电流，IRM为大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t>t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。

快恢复二极管是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点，可广泛用于开关电源、脉宽调制器、不间断电源、交流电动机变频调速、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

整流二极管检查方法：

首先将整流器中的整流二极管全部拆下，用万用表的100×R或1000×R欧姆档，测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大，例如电阻值大的高达几百KΩ到无穷大，而电阻值小的仅几百Ω甚至更小，说明该二极管是好的(发生了软击穿的二极管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等，而且电阻值很小，说明该二极管已被击穿损坏，不能使用。如果两次测量的阻值都是无穷大，说明此二极管已经内部断开，不能使用。

整流二极管代换：

整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。

通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。

正向性

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用

，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当

正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压而迅速上

升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的

正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长

，二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的

正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并

建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场

引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互

相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和

自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍

增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn

结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分