整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳

特征描述:

•在较宽的温度范围内具有 50/60 Hz 的完全阻断能力

•高直流电压阻断稳定性

•高冲击电流能力

•密封陶瓷封装

•高外壳非破裂电流

优势:

•可靠性高，可以大幅度地减少维护并减少停机

•通过串联和并联的设计，轻松实现系统功率调节

特征描述:

•具有高可靠性的压接技术

•工业标准封装

•电气绝缘基板

•故障时短路

•具有高稳健性

优势:

•故障保护

•防止电弧失效

•易于安装

•由于高过载能力，可实现无熔丝设计

•UL 认证

可控硅特征

芯片与底板电气绝缘

2500V交流电压

国际标准封装

全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力

350V以下模块皆为强迫风冷，400A以上模块，既可选用风冷，也可选用水冷。

安装简单，使用维修方便

体积小，重量轻

真空+氢气保护焊接技术

典型应用

交直流电机控制

各种整流电源

工业加热控制

调光

无触点开关

电机软启动

静止无功补偿

电焊机

变频器

UPS电源

电池充放电

标准二极管模块

特点：

*JEDECTO-240AA国际标准封装

*直接铜敷Al2O3陶瓷底板

*平面钝化芯片

*隔离电压3600伏

*阻断电压高达1800伏

*低正向压降

*适用于PCB焊接的引线端子

*符合UL认证，E148688

应用：

*直流电流设备

*脉宽逆变器的输入整流器

*脉宽逆变器的直流电源

*直流电机接地电源

*直流电源电池

优势代理供应赛米控（西门康）SEMIKRON、欧派克（EUPEC）英飞凌（Infineon）IGBT可控硅模块、二极管模块。1999年5月1日，西门子半导体公司正式更名为Infineon，总部设在德国慕尼黑。

我们的产品质量确保原装，假货，请放心购买，不像人家以次充好来忽悠广大客户。

应用范围：应用UPS、开关电源、变频器、逆变器、电动车辆、充电机、感应加热、轨道交通、电焊机以及新兴的风力发电、太阳能光伏发电、电动车、电机软起动、静止无功补偿等新能源行业等领域。

晶闸管的种类？

1， 可关断型晶闸管 KG

普通型晶闸管，在控制极G加上正向触发信号普通型晶闸管导通后，控制极G就失去作用，要使普通型晶闸管关断，必须阳极A与阴极K的正向电压为零或加上负电压。而可关断型晶闸管只要在控制极G加上足够大且较宽的负向触发电流，就可以使晶闸管有效关断。

用途：一般使用在斩波调速、变频调速、逆变电源及直流控制电路中，如直流负载（继电器线圈、电磁阀、电磁离合器、直流电机）的电源通断、汽车点火器等。

2， 双向晶闸管 KS

普通型晶闸管，如果在阳极A与阴极K的加上负向电压，即使在控制极G加上正向触发信号，普通型晶闸管也不会导通。而双向晶闸管却能够导通。要使双向晶闸管关断，必须阳极A与阴极K的之间的电压为零。

用途：一般使用在交/直流控制电路中，如调压器；逆变器；交/直流负载开关等。

3， 逆导晶闸管KN（亦称反向导通晶闸管）

在某些应用场合（如逆变器、斩波器等）要求晶闸管阳极A与阴极K端并接反向二极管，而逆导晶闸管正是基于这个要求，在一个硅片材料上，将晶闸管与反向二极管集成在了一起。因而逆导晶闸管具有正向导通可控、反向自然导通且可通过大电流的不可控；具有耐高压、耐高温；关断时间短、通态电压低等优良性能等特点。

用途：一般用于开关电源；UPS不间断电源；高压、大功率负载上。如轨道交通的电源。

4， 快速晶闸管KK

由于在某些应用领域，要求晶闸管能够快速响应及通断功能，而快速晶闸管是在普通晶闸管制作基础上，改变了制作工艺，使得晶闸管在开通与关断时间上大幅缩短，开通时间为8μs左右；关断时间为50μs左右。主电路换向时间小于60ms，同时工作频率也提升至几千HZ。

用途：常用于UPS不间断电源；三相变频电源；中频电源；超声波电源；逆变器、斩波器；快速开关，脉宽调制器，多谐振荡器等

5，光控晶闸管

光控晶闸管是既可利用光源激发导通；也可象普通晶闸管由控制极G触发信号来导通的晶闸管，在结构上有两端（无控制极G）和三端之分。光控制是，其主电路与控制电路在电气上完全绝缘。

二极管是常用的电子元件之一，它大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都是由二极管来构成的，其原理都很简单，正是由于二极管等元件的发明，才有我们现 在丰富多彩的电子信息世界的诞生，既然二极管的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢，其实很简单只要用万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的，反向电阻如果很大这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理以及基本电路，这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础

晶体二极管一般可用到十万小时以上。但是如果使用不合理，他就不能充分发挥作用，甚至很快地被损坏。要合理地使用二极管，必须掌握他的主要参数，因为参数是反应质量和特性的。

高工作频率fM（MC）----二极管能承受的高频率。通过PN结交流电频率高于此值，二极管接不能正常工作。

高反向工作电压VRM（V）----二极管长期正常工作时，所允许的高反压。若越过此值，PN结就有被击穿的可能，对于交流电来说，高反向工作电压也就是二极管的高工作电压。

大整流电流IOM（mA）----二极管能长期正常工作时的大正向电流。因为电流通过二极管时就要发热，如果正向电流越过此值，二极管就会有烧坏的危险。所以用二极管整流时，流过二极管的正向电流（既输出直流）不允许超过大整流电流

二极管主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。

⒈正向特性

当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电

二极管伏安特性曲线

二极管伏安特性曲线

压再稍微，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。

⒉反向特性

二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。

⒊击穿特性

当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚达数千伏。

⒋频率特性

由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分