价格面议2024-12-16 14:30:02
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces
集电极-发射极饱和电压Vce sat
集电极电流Ic，集电极截止电流Ices
栅极漏电流Iges，栅极-发射极阈值电压Vge(th)
栅极电阻Rg
电容测量
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
普赛斯国产半导体参数分析仪集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。详询一八一四零六六三四七六
国产半导体参数分析仪特点和优势：
单台Z大3000V输出；
单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A；
10us的超快电流上升沿；
同步测量；
国标全指标的自动化测试；
