IWATSU B-H ANALYZER SY-8218磁性材料分析、磁性材料特性测试分析仪SY-8219

用于超宽带域的高频材料分析

SY-8218: 10Hz ～ 10MHz

SY-8219: 10Hz ～ 1MHz

用途

软磁性材料, 硅钢片, 电感等

传统汽车车载电子零部件

电器电子一般电器产品

电子零部件，组件

材料非金属材料

适合于测试硅钢片、铁氧体、非晶体材料等软磁性材料磁特性

产品特点

显示屏: 8.4″ TFT LCD SVGA 800×600像素彩色显示屏

宽测量频率

SY-8218: 正弦波10Hz – 10MHz, 方波在占空比50:50时10Hz – 1MHz

SY-8219: 正弦波10Hz – 1MHz, 方波在占空比50:50时10Hz – 1MHz

16倍高速采集数据 (与岩崎前B-H分析仪型号比较)

采集数据在8,192点/周期执行精确参数测量, 如Hc (强制力), Br (残余通量密度) 和其他参数

脉冲励磁功能

正弦波与脉冲(在占空比50:50和1MHz时) 励磁均为标准功能

数模转换器: 16位 (8,192点/周期)

磁通密度信号检测: 感应电压检测线圈两端压降法. 最大信号检测电压±200V

宽温度范围恒温箱扫描系统提供汽车车辆标准AEC-Q200等级0兼容, 作业温度范围 -55ºC ~ +180ºC, 4个样品测试 (SY-330)

全自动恒温箱扫描系统提供作业温度范围-30°C ~ +150°C和最多20/41个样品测试 (SY-320A/SY-321A)

DC – 3MH, 最大电压 ±150V, 最大电流 ±6A双极性功率放大器 (SY-5001)

DC – 3MHz, 最大电压 ±75V, 最大电流 ±6A 双极性功率放大器 (SY-5002)

DC – 10MHz, 最大电压 ±71V, 最大电流 ±1A 双极性功率放大器 (HSA4101-IW)

小型片状样品磁特性测试台样品尺吋要求 (SY-956)

样品的长度必须是36mm以上

样品的宽度必须是35mm以下

样品的厚度必须是3mm以下

最大DC偏置电流30A, 最大AC波纹电流±6A 直流叠加测试台 (SY-960/961/962)

测量频率：10Hz 至 10MHz （SY-8218），10Hz 至 1MHz （SY-8219）

应用波形：正弦波、方波（10Hz~1MHz）

最大输入电流：±6A

最大输入电压：±200V

励磁方法：自动励磁

（最大磁场、最大磁通密度、最大励磁电流、最大感应电压指定）

乘以衰减交变磁场，以免留下残留磁化而减磁

规格

项目规格

半导体特性曲线图示仪 CS-3100 CS3300 TEK370A Iwatsu (岩崎),

产品特点

显示屏: 8.4″ 彩色TFT液晶显示屏

正确测试半导体如IGBTs, MOSFETs, 晶体管和二极管的最佳解决方案

采用电路图模式显示内部的配线状态 (CONFIGURATION), 更好地避免模块测试时的误操作(附图)

WAVE模式: 能确认实际印加电流和电压波形的监察模式 (附图)

可以像示波器一样通过观察模块上实际印加电流和电压的波形来确定脉宽和实际测试点 (Timing)

可通关确认实际波形, 适时调整脉宽和测试点

避免示波器的探棒影响, 可确认实时的异常信号

可非常容易地确认模块发热等引起的振荡等热异常情况

可实现SiC和GaN等器件的电容测试 (选件CS-603A/CS-605A)

可实现晶圆和芯片上的电容测试 (探针台和选件CS-603A/CS-605A)

标配LAN和USB接口
产品功能

电子电力元件或器件测试波形特性的功能显示 (附图)

配备选件 CS-603A (3kV) 或 CS-605A (5kV), 可实现电子电力器件如SiC和GaN等的电容测试

在3kV (CS-603A)/5 kV (CS-605A) 作自动与扫描电容测试

曲线图示仪的测试适配器可用于各种器件封装类型

测试参数包括:

Cies, Ciss (输入电容)

Coss (输出电容)

Cres, Crss (反向传输电容)

Ct (端子间的电容)

Cgs, Cge/Cgd, Ccg/Cds, Cce (已计算)

Rg (栅极电阻)

可实行晶圆和芯片上的电容测试 (探针台和选件CS-603A/CS-605A)

具有外部联锁功能的恒温箱高低温试验

与电脑全自动化的完美结合
模块或数个芯片, 器件自动切换测试

可自动控制加热板, 全自动进行六合一模块的温度特性测量

测试结果窗口 (附图)

波形比较功能: 可将产品开发时的不稳定状态或不良分析时测得的多个波形进行同屏比较, 或通过波形比较来判断是否合格 (附图)

产品应用

适用于高电压或高电流功率器件 (如IGBT和功率MOSFET) 及半导体器件 (如晶体管, 二极管和 LED) 的特性测试

电力电子器件 (如 SiC和GaN) 的电容测量 (选件CS-603A/CS-605A)

可实行晶圆和芯片上的电容测试 (探针台和选件CS-603A/CS-605A)

静态特性测试包括漏电流, 饱和电压, VF和Vth (附图)

传输特性 (Vge-Ic/Vge-Vce) 和电路模块的测试功能

器件测试

可以在短时间内执行多个器件的测试和记录. 操作员只需根据器件替换和连接更改来输入样本名称, 以重复相同的测试. 在既定条件下判断 (通过/失败) 将显示每个测试与图像和波形数据也将自动存储(附图)

半导体温度特性测试评估