可控硅的主要参数有：

1、 额定通态平均电流在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值；

2、 正向阻断峰值电压：在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值；

3、 反向阻断峰值电压：当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值；

4、 触发电压在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制极电流和电压；

5、 维持电流：在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。

晶闸管特点“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。

电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。

晶闸管的种类：

1、按关断、导通及控制方式分类：晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种；

2、按引脚和性分类：晶闸管按其引脚和性可分为二晶闸管、三晶闸管和四晶闸管；

3、按封装形式分类：晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种；

4、按电流容量分类：晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装；

5、按关断速度分类：晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和（快速）晶闸管。

晶闸管是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个：阳，阴和门；晶闸管工作条件为：加正向电压且门有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

晶闸管的注意事项：

1、在检查大功率器件时，建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′，以提高测试电压和测试电流，使可靠地导通；

2、要准确测量的关断增益，必须有测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同，测量结果仅供参考，或作为相对比较的依据；

逆导晶闸管亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳与阴之间反向并联一只二管，使阳与阴的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构，使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如，逆导晶闸管的关断时间仅几微秒，工作频率达几十千赫，快速晶闸管。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中，一只即可代替晶闸管和续流二管各一只，不仅使用方便，而且能简化电路设计；

逆导晶闸管的符号、等效电路，逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性，正向特性与普通晶闸管相同，而反向特性与硅整流管的正向特性相同（仅坐标位置不同）。

晶闸管的工作原理：

1、晶闸管具有单向导电性：正向导通条件：A、K间加正向电压，G、K间加触发信号；

2、晶闸管一旦导通，控制失去作用：若使其关断，必须降低UAK或加大回路电阻，把阳电流减小到维持电流以下；

晶闸管的结构：晶闸管由四层半导体材料构成，它有三个：阳，阴和门。晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。