显示屏: 8.4″ TFT LCD SVGA 800×600像素彩色显示屏

宽测量频率

SY-8218: 正弦波10Hz – 10MHz, 方波在占空比50:50时10Hz – 1MHz

SY-8219: 正弦波10Hz – 1MHz, 方波在占空比50:50时10Hz – 1MHz

16倍高速采集数据 (与岩崎前B-H分析仪型号比较)

采集数据在8,192点/周期执行精确参数测量, 如Hc (强制力), Br (残余通量密度) 和其他参数

脉冲励磁功能

正弦波与脉冲(在占空比50:50和1MHz时) 励磁均为标准功能

数模转换器: 16位 (8,192点/周期)

磁通密度信号检测: 感应电压检测线圈两端压降法. 最大信号检测电压±200V

宽温度范围恒温箱扫描系统提供汽车车辆标准AEC-Q200等级0兼容, 作业温度范围 -55ºC ~ +180ºC, 4个样品测试 (SY-330)

全自动恒温箱扫描系统提供作业温度范围-30°C ~ +150°C和最多20/41个样品测试 (SY-320A/SY-321A)

DC – 3MH, 最大电压 ±150V, 最大电流 ±6A双极性功率放大器 (SY-5001)

DC – 3MHz, 最大电压 ±75V, 最大电流 ±6A 双极性功率放大器 (SY-5002)

DC – 10MHz, 最大电压 ±71V, 最大电流 ±1A 双极性功率放大器 (HSA4101-IW)

小型片状样品磁特性测试台样品尺吋要求 (SY-956)

样品的长度必须是36mm以上

样品的宽度必须是35mm以下

样品的厚度必须是3mm以下

最大DC偏置电流30A, 最大AC波纹电流±6A 直流叠加测试台 (SY-960/961/962)

日本IWATSU CS-3300半导体特性曲线图示仪CS-3100，CS-3200，(符合 UL 规格)

非常适合测量不同类型半导体（包括IGBT、MOSFET、晶体管和二极管）的特性

zui大峰值电压：3000 V（高电压模式，适合所有型号）

zui大峰值电流：1000 A（CS-3300高电流模式）

所有型号均支持漏电流（LEAKAGE）测试模式（光标分辨率：1 pA）

USB接口（保存屏幕图像和设置条件）

环路校正 测试台的集电极引脚与接地之间的杂散电容由高电压模式下的硬件提供补偿，还可提供数字补偿。

大电流模式（脉冲） -

zui大峰值电流 zui大峰值电压

400 A 40 V

40 A 40 V

zui大峰值电流 zui大峰值电压

1000 A 40 V

400 A 40 V

40 A 40 V

脉冲宽度/测量点 - 脉冲宽度可在50 - 400 μs范围内变化。

可以测量点（分辨率为10 μs/步进）。

数据点上限 每次跟踪可以20 - 1000个点。

阶梯信号发生器

电流模式 幅度范围：50 nA - 200 mA，共21个范围，步进为1-2-5

zui大电流：±2A/偏移：步进幅度设置的±10倍

电压模式 幅度范围：50 mV - 2 V，共6个范围，步进为1-2-5

zui大电压：±40V/偏移：步进幅度设置的±10倍

步进率 梯形波：50 Hz或60 Hz的2倍

（AC模式下为50 Hz或60 Hz） 梯形波：50 Hz或60 Hz的2倍（AC模式下为50 Hz或60 Hz）

脉冲：脉冲变化范围为80ms - 1000 ms。

（zui低频率受zui大峰值功耗设置限制。）

脉冲步进 脉冲宽度可在50μs - 400 μs范围内变化（分辨率为10μs）。